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由掺杂硅的非晶体氢化碳所构成的电容器电介质
无权-视为撤回

申请号:96100453.3 申请日:1996-01-23
摘要:在大频率范围内具有高介电强度及低功耗因子的电容器包括有至少两个由至少一个电介质层分隔的导电层。电介质层为掺杂硅的非晶体氢化碳,它具有包括硅烷(优选),四烷氧基硅烷和多有机硅氧烷的掺杂物。
申请人: 通用电器公司
地址: 美国纽约州
发明(设计)人: 迈克·韦恩·丹佛 史蒂芬·马可·盖斯渥斯
主分类号: H01G4/06
分类号: H01G4/06 H01G4/08 H01G4/008 H01G13/00
  • 法律状态
2001-04-04  
1998-03-11  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种含有至少两个由至少一个电介质层分隔开来的导电层的电容 器,该导电层为硅含量约为1-10原子%的掺杂硅非晶氢化碳。
公开号  1138737A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  永新专利商标代理有限公司
代理人  程伟
颁证日  
优先权  1995.1.23 US 376,564
国际申请  
国际公布  
进入国家日期