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整体晶体的生长方法
无权-未缴年费
权利转移

申请号:95191189.9 申请日:1995-10-04
摘要:用成分与所生长晶体不同的大直径薄板状晶种10,在晶体生长开始前,使原料溶解于溶剂中形成的溶液12S(或原料熔体12m)下侧的温度高于上侧温度而引起对流,将此状态保持给定时间,利用对流清洗晶种10的表面。此后,按照Bridgeman法或梯度冷冻法开始晶体生长。此时,使晶种10倾斜而在晶种10的表面内形成温度梯度,使得在晶体生长开始时在其表面内温度最低的部位生成晶核,或在晶种10表面的一个地方预先形成微小凹部或微小突起部,从而在此微小凹部或突起部生成晶核。这样,便能高产率地制造优质整体单晶。
申请人: 株式会社日本能源
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 朝日聪明 小田修 佐藤贤次
主分类号: C30B11/14
分类号: C30B11/14 C30B15/36 C30B29/48
  • 法律状态
2007-12-05  
2004-04-14  <变更事项>专利权人<变更前权利人>株式会社日本能源<变更后权利人>株式会社日矿材料<登记生效日>2004.02.19
2004-04-14  <变更事项>地址<变更前权利人>日本东京都<变更后权利人>日本东京都<登记生效日>2004.02.19
2001-09-05  授权
1997-01-08  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.整体晶体(bulk?crystals)的生长方法,其特征在于让晶种与含有所 生长晶体的构成元素的熔体或溶液接触而从该熔体或溶液中生长出整体晶 体,作为所述晶种,使用其熔点比所生长晶体的生长温度高、同时其成分与所 生长晶体不同、且对所述熔体或溶液的溶解度小的薄板状单晶基板。
公开号  1138882A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  刘元金 杨丽琴
颁证日  
优先权  1994.11.11 JP 278015/94
国际申请  PCT.JP95/02025 95.10.4
国际公布  WO96.15297 日 96.5.23
进入国家日期  1996.07.11