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半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法
无权-视为撤回

申请号:95116817.7 申请日:1995-09-01
摘要:提供了一种比湿法腐蚀可控性更高的半导体腐 蚀方法,包括:用一种含有组成III-V族化合物半导 体层中V族材料的腐蚀气体且将上述III-V族化合 物半导体层保持在高于其晶体生长温度的温度下,对 其进行腐蚀。由于不使用腐蚀液,该腐蚀方法可在晶 体生长设备中使用。再者,由于用III-V族化合物半 导体层的材料气体作腐蚀气体,故能防止在被腐蚀的 表面上出现残留杂质,从而保持了被腐蚀表面的清 洁。
申请人: 三菱电机株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 元田隆 加藤学 竹见政义
主分类号: H01L21/306
分类号: H01L21/306 H01L33/00 H01S3/18
  • 法律状态
2000-11-29  
1997-09-24  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体腐蚀方法,包括: 把III-V族化合物半导体层保持在高于其晶体生长温度的 温度下、利用含有组成上述III-V族化合物半导体层的V族材 料的腐蚀气体腐蚀上述III-V族化合物半导体。
公开号  1138747A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王以平
颁证日  
优先权  1994.9.2 JP 209980/94
国际申请  
国际公布  
进入国家日期