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辐射探测器
无权-届满

申请号:94194317.8 申请日:1994-10-28
摘要:一种通过让离子辐射穿过气隙或气体空间作用于 MOSFET晶体管的浮栅(13)表面来探测离子辐射的方法。为了这一目的,在形成探测器的MOSFET晶体管的浮栅表面上形成了一个未覆盖区域。MOSFET晶体管是这样来使用的:在它的浮栅上形成一层电荷,由于有晶体管暴露在其中的离子辐射的作用,所述电荷发生变化,从而通过栅电荷的变化测得辐射剂量。
申请人: 拉多斯技术公司
地址: 芬兰图尔库
发明(设计)人: 朱卡·卡西莱宁
主分类号: G01T1/24
分类号: G01T1/24
  • 法律状态
2014-12-03  专利权有效期届满
IPC(主分类):G01T 1/24
申请日:19941028
授权公告日:19981021
期满终止日期:20141028
1998-10-21  授权
1997-03-26  
1997-01-08  
1996-12-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种利用带浮动栅(13)MOSFET晶体管的剂量计测量离 子辐射的方法,其特征在于: 所述离子辐射对MOSFET晶体管(10)的浮动栅(13)表 面起作用,这是通过一个开放的气隙或气体空间或封闭的气隙或气 体空间(24)来影响的,该空间(24)使所述栅极表面上有一未 经覆盖的区域(17)或者有一个由导体、半导体或薄绝缘体覆盖 的区域。
公开号  1138901A
公开日  1996-12-25
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  范本国
颁证日  
优先权  1993.10.28 FI 934784
国际申请  PCT.FI94/00487 94.10.28
国际公布  WO95.12134 英 95.5.4
进入国家日期  1996.05.29