搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

半导体元件的电极
无权-未缴年费

申请号:93119316.8 申请日:1991-05-31
摘要:一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极,其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L,另一边定义为W,基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为H,则使L、W、H满足L>H>W的关系式。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 池田敦 中村佳夫
主分类号: H01L21/28
分类号: H01L21/28 H01L23/52 H01L29/40
  • 法律状态
2010-08-04  未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/28申请日:19910531授权公告日:19980204
1998-02-04  授权
1995-08-02  公开
1995-07-12  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用于半导体元件的直接与半导体元件的半导体区域相连的电极,其形状基本上是方形柱状,其特征在于, 当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L,另一个边的长度定义为W,基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度定义为H时,L、W、H满足L>H>W的关系式。
公开号  1106163A
公开日  1995-08-02
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人  王以平
颁证日  
优先权  1990.5.31 JP 143732/90
国际申请  
国际公布  
进入国家日期