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四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
无权-未缴年费

申请号:93110394.0 申请日:1993-04-19
摘要:四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺,属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为M:KTa1-XNbXO3,X=0.40—0.52,M是Fe,Cu,Ni,#O&Co,Cr等之一,原料为Ta2O5,Nb2O5和K2CO3,掺杂剂占原料总重量的0.1—0.5%,原料和掺杂剂混匀后放入铂坩埚内,置于生长炉中,升温至1300—1400℃化料,然后降温至1250℃左右,采用顶端籽晶法降温生长。本发明工艺条件稳定,晶体容易生长,所得晶体光学性能优良。
申请人: 山东大学
地址: 250100山东省济南市山大南路27号
发明(设计)人: 王继杨 魏景谦 管庆才 刘耀岗 邵宗书 蒋民华
主分类号: C30B29/30
分类号: C30B29/30 C30B9/04
  • 法律状态
1998-06-17  
1995-06-28  授权
1994-06-15  
1993-10-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、四方相掺杂钽铌酸钾晶体,分子组成为:M∶KTa1-xNbxO3,其特征在于,x=0.40-0.52,室温下是四方相结构,M是下列金属元素之一:(a)Fe,(b)Cu,(c)Ni,(d)Co,(e)Cr,(f)稀土金属元素。
公开号  1077504
公开日  1993-10-20
专利代理机构  山东大学专利事务所
代理人  孙君 刘旭东
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期