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电解质组分的净化工艺
无权-视为撤回

Process for the purification of electrolyte components

申请号:93106085.0 申请日:1993-05-21
摘要:适用于IIB/VIB族薄膜半导体电淀积过程的 IIB族金属盐水溶液的一种制备方法。该方法包括 下列步骤:(a)令IIB族金属盐溶液与相应的呈纯度 高于99.99%的粉料形式的IIB族金属接触;(b)将 含有该金属的溶液搅拌起码10分钟;(c)将金属粉料 从溶液中除去。此外还公开了用阴极淀积法从含有 II组金属离子的电解质制备电淀积薄膜IIB/VIB 半导体的方法。
Abstract: A method of preparing an aqueous solution of a Group IIB metal salt suitable for use in the electrodeposition of a IIB/VIB thin film semiconductor which comprises (a) bringing a solution of the Group IIB metal salt into contact with the corresponding IIB metal in the form of a powder with a purity greater than 99.99 %; (b) agitating the solution containing the powder for at least 10 minutes; and (c) removing the metal powder from the solution. A method of preparing an electrodeposited thin film IIB/VIB semiconductor by cathodic deposition from an electrolyte containing ions of Group II metal, is also claimed.
申请人: 英国石油太阳能有限公司
Applicant: BP SOLAR LTD[GB]
地址: 英国伦敦
发明(设计)人: J·巴克 M·沙德吉 R·J·马歇尔
Inventor: BARKER JEREMY[GB]; MARSHALL RODNEY JOHN[GB]; SADEGHI MEHRAN[GB]
主分类号: C25D3/56
分类号: C25D3/56
  • 法律状态
1996-04-03  
1994-02-23  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、适用于ⅡB/ⅥB族薄膜半导体电淀积过程的ⅡB族金属盐水溶液的一种制备方法,包括下列步骤: (a)令ⅡB族金属盐溶液与相应的呈高纯度粉料形式的ⅡB族金属接触; (b)将含有金属粉料的上述溶液加以搅拌,搅拌时间要充分,以萃取其中的杂质;然后 (c)将金属粉料从溶液中除去。
公开号  1082633A
公开日  1994-02-23
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  马铁良 叶恺东
颁证日  
优先权  1992.5.22 GB 9210945.3
 
国别 优先权号 优先权日 类型
GB  9210945.3  19920522 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
WO9324962A1AU4077793AGB9210945D0
MX9303008A
 
引用文献
US4345107AUS4400244AUS4465565A
 
被引用文献