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低能离子束细胞修饰技术和装置
无权-未缴年费

申请号:93103361.6 申请日:1993-03-26
摘要:本发明是低能离子束细胞修饰技术和装置。$本发明技术是用低能离子束溅射刻蚀对放在微环境靶室内的并经过预冷的动、植物细胞进行溅射刻蚀,外源基因导入,细胞融合等。$本发明装置是由一个离子源,一个可使离子束通过的主真空室和一个微环境靶室组成。微环境靶室内装有样品架,配有预抽系统、装有高效过滤材料和气源接口的气流净化结构。主真空室与微环境靶室是由隔离阀连接的。
申请人: 中国科学院等离子体物理研究所
地址: 230031安徽省合肥市1126信箱
发明(设计)人: 何建军 杨剑波 吴跃进 陈备久 余赠亮 周骏 沈玉琴 孙洪奎 伊载群
主分类号: C12N13/00
分类号: C12N13/00 C12M1/42
  • 法律状态
2006-05-24  
2000-11-08  授权
1993-10-20  公开
1993-10-13  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种低能离子束细胞修饰技术,其特征在于是用低能离子束溅射刻蚀对放在微环境靶室内的,并经过预冷过的动、植物细胞进行溅射、刻蚀。
公开号  1077495
公开日  1993-10-20
专利代理机构  中国科学院合肥专利事务所
代理人  周国城
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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