搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

离子注入局部补偿集电区的方法
无权-未缴年费

申请号:93102116.2 申请日:1993-03-04
摘要:本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法,即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入,通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件,不影响晶体管的静态特性,能明显改善晶体管的频率特性;用于超高速硅双极集成电路,可使电路速度大大提高。
申请人: 北京大学
地址: 100871北京市海淀区中关村
发明(设计)人: 张利春 钱钢 何美华 王阳元 赵渭江
主分类号: H01L21/322
分类号: H01L21/322 H01L21/328 H01L21/82 H01L27/02 H01L29/70
  • 法律状态
2001-05-02  
1995-04-12  授权
1993-10-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种离子注入局部补偿集电区的方法,其特征在于对双极晶体管外基区下对应的外延层区域进行补偿离子注入,使该区域外延层中净掺杂浓度降低。
公开号  1077569
公开日  1993-10-20
专利代理机构  北京大学专利事务所
代理人  张平
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期