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测量电压和/或电场强度的方法和传感器
无权-未缴年费

申请号:93101957.5 申请日:1993-02-23
摘要:本发明涉及一种测量电压和/或电场的方法,它利用晶体(1)所具有的光电效应(纵向光电效应)来实现,为此沿Z方向的偏振光波(17')的垂直于传播方向(Y方向),在晶体(1)内沿X轴方向上,将产生一个电场强度的梯度,根据该梯度可获得晶体(1)的折射率n的相应的梯度,由此在该晶体(1)内出现该光波(17')的取决于场强变化的偏转,所出现的这一偏转可用来测出电压或场强。这里同样地描述一种合适的传感器。
申请人: MWB高压系统公司
地址: 联邦德国班贝格
发明(设计)人: 迪克·皮埃尔 霍尔格·希尔什
主分类号: G01R19/00
分类号: G01R19/00 G01R15/07
  • 法律状态
2006-04-26  
2000-05-10  授权
1995-05-31  
1993-10-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、利用晶体所呈现的光电效应测量电压和/或电场强度的方法,在该晶体中穿过一偏振光波,并沿着该光行程传播,利用沿该光行程平行地延伸的接有电压或可接有电压的电极,晶体中的场强和晶体的折射率被改变或可变化,并且根据折射率的变化而产生的光波的变化,将其用来作为在电极上所加电压的量度,其特征在于:这些电极(5,6及7,8)是如此布置的,即在晶体(1)上这些加有电压(9;10,11)的电极(5,6及7,8)沿着相交于光波(17)的扩展方向(晶体(1)的y或x轴方向)的光行程(21),呈现晶体(1)的Z轴方向上电场强度(Ez)的梯度和折射率(n)的梯度,从而该光波(17)在晶体(1)内随电压偏转,并且这一偏转(偏转范围(26))状态被测出。
公开号  1077539
公开日  1993-10-20
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  姜华
颁证日  
优先权  1992.2.24 DE P4205509.1
国际申请  
国际公布  
进入国家日期