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C波段常温FET低噪声放大装置
无权-未缴年费

申请号:92238810.5 申请日:1992-10-26
摘要:本实用新型公开了一种C波段常温FET低噪声放大装置,它由同轴隔离器、输入输出匹配器、场效应管、自适应偏置电路、故障检测电路等部分组成。本实用新型能使场效应管充分发挥出低噪声性能,能有效的防止调试过程中烧坏管子,以及对放大装置进行故障检测。$本实用新型还具有电路结构简单,制作容易,调试方便,成本低廉,便于批量生产,能方便地提高设备的性能指标,是一种理想的卫星通信低噪声放大装置。
申请人: 机械电子工业部石家庄第五十四研究所
地址: 050081河北省石家庄市中山西路11号
发明(设计)人: 党耀国 凃天杰 薛兆鸣 高文生 孟立峰
主分类号: H04B1/16
分类号: H04B1/16
  • 法律状态
1996-12-18  
1993-10-20  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种由同轴隔离器1、场效应管3、6、输出匹配器4、7、直流电源11组成的C波段常温FET低噪声放大装置,其特征在于还有输入匹配器2、5、自适应偏置电路8、9、故障检测电路10组成,其中输入匹配器2、5分别由电感L1、电容C1;电感L2、电容C2构成,自适应偏置电路8、9分别由晶体管D1、D2构成,故障检测电路10由二极管D3至D6构成,同轴隔离器1入端A与输入波导连接、出端2与输入匹配器2的电感L1、电容C1一端并接,电源端3与电阻R1一端连接,电容C1另一端接地端,电感L1另一端与场效应管3的栅极连接,场效应管3的源极接地端、漏极与输出匹配器4的入端1连接、输出匹配器4的出端2与电容C3一端连接、电源端3与自适应偏置电路8的晶体管D1发射极、电阻R5一端及故障检测电路10的电阻R11一端并接,电容C3另一端与输入匹配器5的电感L2一端、电容C2一端、电阻R6一端并接,电容C2另一端接地端、电感L2另一端与场效应管6的栅极连接,场效应管6的源极接地端、漏极与输出匹配器7的入端1连接,输出匹配器7的出端串接电容C4后与出端B连接、电源端3与自适应偏置电路9的晶体管D2发射极、电阻R10一端及故障检测电路10的电阻R12一端连接,电阻R1另一端与自适应偏置电路8的晶体管D1集电极、电阻R2一端、电容C5一端并接,晶体管D1基极与电容C5另一端、电阻R3、R4一端并接,电阻R3另一端接地端。电阻R4另一端与电阻R5另一端、电阻R9、R10一端、直流电源11的正电压端并接,电阻R6另一端与自适应偏置电路9的晶体管D2集电极、电容C6、电阻R7一端并接,晶体管D2基极与电阻R8、R9一端、电容C6另一端并接,电阻R7另一端与电阻R2另一端、直流电源11的负电压端并接,电阻R8另一端接地端;故障检测电路10的二极管D3正极、D4负极与电阻R11另一端并接,二极管D5正极、D6负极与电阻R12另一端并接,二极管D3负极、D5负极与出端D并接,二极管D4正极、D6正极与出端C并接。
公开号  2144374
公开日  1993-10-20
专利代理机构  石家庄市专利事务所
代理人  李合印
颁证日  1993-07-10
优先权  
国际申请  
国际公布  
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