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用高能离子注入实现SI/n+埋层结构及元件内部互联
无权-未缴年费

申请号:92109138.9 申请日:1992-08-07
摘要:一种利用高能离子注入的方法在半绝缘衬底中 实现SI/n+(高浓度n型衬底上的半绝缘层)埋层结 构和单片电路中元件之间的内部互连。用高能Si+和低剂量O+注入相结合的技术在半 绝缘GaAs材料中得到了SI/n+埋层结构。用n+选 择注入将n+埋层与制作在SI层上的元件连通,从而 实现了集成电路中元件之间的内部互连。
申请人: 北京师范大学
地址: 100875北京市********(隐藏)
发明(设计)人: 韩德俊 李国辉 朱恩钧 王琦
主分类号: H01L21/74
分类号: H01L21/74 H01L21/90
  • 法律状态
1996-09-18  
1995-03-01  授权
1994-02-23  公开
1993-05-05  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用离子注入技术制作晶体管的方法,其特征在于用高能离子注入在半绝缘衬底中实现SI/n+埋层结构和单片电路中元件之间的内部互连。
公开号  1082769A
公开日  1994-02-23
专利代理机构  北京师范学院专利事务所
代理人  华明达
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期