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金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺
无权-视为撤回

申请号:92108395.5 申请日:1992-04-30
摘要:一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺,其特征在于维持反应室压力为66.5~133帕的低压,衬底温度700~850℃,有机源升华温度80~250℃,反应室氧分压为13.3~93帕,用本发明的工艺,超导膜的沉积速率达20μm/h,沉积得到表面光亮、致密,成分均匀,超导临界温度大于90K,77K下零场电流密度大于2×106A/cm2,最大可达8×106A/cm2的YBCD超导薄膜。
申请人: 中国科学院上海冶金研究所
地址: 200050上海市长宁路865号
发明(设计)人: 陶卫 吴自良
主分类号: H01B12/06
分类号: H01B12/06 H01L39/24 C23C16/40
  • 法律状态
1997-07-16  
1993-11-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)快速沉积金属氧化物超导薄膜的工艺,包括衬底片加热、反应室抽真空、升华有机源,由载气将升华的金属有机源输送到反应室并通入氧气,本发明的特征在于: Ⅰ.发生气相沉积反应的反应室压力为66.5-133帕; Ⅱ.反应室的氧分压为13.3-93帕; Ⅲ.金属有机源的升华温度:Y、Cu源为80-170℃,Ba源为180-250℃; Ⅳ.衬底温度为700-850℃。
公开号  1078327
公开日  1993-11-10
专利代理机构  中国科学院上海专利事务所
代理人  季良魁
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期