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半导体器件及其制造方法
无权-届满

申请号:92105500.5 申请日:1992-07-07
摘要:一种具有布线层的半导体器件,包括:$半导体衬底31、51、71、91和111;$具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112,所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分;$在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117,并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀的物质。
申请人: 三星电子株式会社
地址: 韩国京畿道水原市
发明(设计)人: 李相忍 洪正仁 朴钟浩
主分类号: H01L21/28
分类号: H01L21/28 H01L21/90 H01L23/52
  • 法律状态
2012-09-05  专利权有效期届满IPC(主分类):H01L 21/28申请日:19920707授权公告日:19960327期满终止日期:20120707
2002-06-12  
1996-03-27  授权
1994-10-19  
1993-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种具有布线层的半导体器件,包括: 半导体衬底(基片)31、51、71、91和111; 具有在所述的半导体衬底上形成的开口的绝缘层32、52、72、92和112,所述的开口暴露所述绝缘层的底层的表面的一部分; 在所述绝缘层上形成的并完全充满所述开口的第一导电层37、57、76、95和97、115及117,并且所述的第一导电层包括在后来的热处理步骤中不产生Si沉淀物的物质。
公开号  1068444
公开日  1993-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杨国旭
颁证日  
优先权  1991.7.8 KR 11543/91
国际申请  
国际公布  
进入国家日期