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半导体基体材料的制作方法
无权-未缴年费

申请号:92103908.5 申请日:1992-05-22
摘要:半导体基体材料的制作方法,其特征为具有以下工序:使硅基体形成多孔性后,在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序;通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序;在上述一次贴合工序后,用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序;以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 坂口清文 米原隆夫
主分类号: H01L21/02
分类号: H01L21/02
  • 法律状态
2007-07-25  
2002-06-12  
2000-05-10  授权
1993-01-27  公开
1992-12-30  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、半导体基体材料的制作方法,其特征为具有以下工序:使硅基体形成多孔性后,在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序;通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合工序;在上述一次贴合工序后,用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序;以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。
公开号  1068443
公开日  1993-01-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杨国旭
颁证日  
优先权  1991.5.22 JP 145286/91;1991.5.24 JP 148162/91;1991.5.27 JP 149303/91;1991.5.27 JP 149304/91;1991.5.27 JP 149305/91;1991.5.28 JP 150986/91;[3
国际申请  
国际公布  
进入国家日期