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一种半导体器件的制造方法及其制得的器件
无权-未缴年费
著录变更

申请号:92103136.X 申请日:1992-04-30
摘要:为了在具有多个槽的半导体表面上制造注入掩模,需使正性光刻胶层制作在表面上。在第一步中,以光照射要形成注入掩模的光刻胶部分,并在影象转变阶段中变成不溶性物,然后,不要掩模,以光照射该光刻胶并显影,使第一步中没有被光照射过的部分除去。这样制得的注入掩模具有后缩的轮廓,在槽区的窗口沿向槽底的方向而变宽。
申请人: 菲利浦光灯制造公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: H·L·皮克
主分类号: H01L21/266
分类号: H01L21/266
  • 法律状态
2004-06-30  
2002-06-12  
1998-12-16  <变更项目>专利权人<变更前>菲利浦电子有限公司<变更后>皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24  <变更项目>专利权人<变更前>菲利浦光灯制造公司<变更后>菲利浦电子有限公司
1995-07-05  授权
1994-08-17  
1992-11-25  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体器件的制造方法,依此法,一半导体本体在表面上至少形成一个槽,该槽从表面延伸到半导体本体内,通过掩模用离子注入法,在该槽的一部分形成一掺杂区,其特征在于,将一正性光刻胶层制作在表面上与槽内,将待进行离子注入的区域的光刻胶层加掩蔽以防止辐照,而光刻胶层不加掩蔽的部分受到辐照,此后,通过一影象转变处理,使光刻胶层辐照过的部分变成不溶性物,在后续步骤中,在第二次辐照步骤中,对待进行离子注入的区域的光刻胶层施加辐照,此后,经显影将上述的第一次辐照步骤时掩蔽着的光刻胶层部分除去。
公开号  1066530
公开日  1992-11-25
专利代理机构  中国专利代理(香港)有限公司
代理人  王岳 肖掬昌
颁证日  
优先权  1991.5.3 EP 91201052.7
国际申请  
国际公布  
进入国家日期