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半导体器件及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:91104371.3 申请日:1991-05-31
摘要:本发明提供了一种半导体器件,它具有无任何多余面积的所需的最小元件构成的很少的功能元件。因此,能明显地减小所占面积,并具有第一导电型(例如P阱)的第一半导体区,和形成在第一半导体区上或下的,具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区(例如源区或漏区),其中形成电气连接到第一半导体区的电极,通过第二半导体区,上述电极使第一半导体区与第二半导体区短路。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 大逸男 光地哲伸
主分类号: H01L29/784
分类号: H01L29/784 H01L21/283
  • 法律状态
2006-08-09  
2002-06-12  
2000-05-10  授权
1992-01-08  公开
1991-12-18  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体器件,具有第一导电型的第一半导体区,和位于第一半导体区上或下的有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区,其特征是: 形成的电极电气连接到所说的第一半导体区并穿过说的第二半导体区;和 用电极电气连接所说的第一和第二半导体区。
公开号  1057736A
公开日  1992-01-08
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杨国旭
颁证日  
优先权  1990.5.31 JP 139618/90;1990.8.8 JP 208145/90
国际申请  
国际公布  
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