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双岛五梁结构单块硅加速度传感器
无权-未缴年费

申请号:90215390.0 申请日:1990-10-19
摘要:本实用新型属于半导体硅加速度传感器的领域。硅芯片采用双岛五梁的微机械结构,力敏元件集中在二维图形对称中心的梁区上,因而可消除或显著减小横向效应,得到横向效应小,灵敏度高而工艺可控性好的单块硅加速度传感器。
申请人: 复旦大学
地址: 200433上海市********(隐藏)
发明(设计)人: 鲍敏杭 陈健 沈绍群
主分类号: G01P15/08
分类号: G01P15/08 G01D5/12
  • 法律状态
1993-09-08  
1991-12-18  授权
1991-05-01  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种由矩形硅芯片、力敏元件(力敏电阻)按通常工艺制作、封装而成的微机械结构加速度传感器,其特征在于硅芯片中间部分为两个位置对称的、相同的、形似长方形的岛区(质量块),两个岛区之间由位于图形对称中心的硅梁(中心梁)连接,两岛区与四周边框由岛两角处的4个硅梁连接,岛区与边框之间,岛与岛之间除连接梁外,其余部分为穿透区,力敏元件集中制作在中心梁上。
公开号  2076240U
公开日  1991-05-01
专利代理机构  复旦大学专利事务所
代理人  陆飞
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期