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高临界温度超导厚膜磁通变换器
无权-届满

申请号:90206907.1 申请日:1990-05-28
摘要:本实用新型涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高TC超导厚膜磁通变换器,主要包括:衬底、高TC超导厚膜螺旋线圈,厚膜回线和中间绝缘层,所用超导材料是Y系或Bi系氧化物,衬底用ZrO,Al2O3,SrTi3O或MgO材料,中间绝缘层采用Y2BaCuO,BaCuO,ZrO,Al2O3,SrTi3O,PrBa2Cu3O或MgO材料,螺线与回线之间可以通过不同方式构成闭合回路,所述的变换器与SQUID配用可提高磁场测量灵敏度,适用于医学工程以及计量、地质、生物等技术领域。
申请人: 北京有色金属研究总院
地址: 北京市新街口外大街2号
发明(设计)人: 李汉青 林安中
主分类号: G01R33/035
分类号: G01R33/035
  • 法律状态
1996-01-17  
1991-07-31  授权
1991-01-02  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种高TC超导厚膜磁通变换器,它是输入线圈、探测线圈、以及回线组成的闭合回路,其特征在于: [1]所说的输入线圈和探测线圈由衬底及与之牢固结合的超导厚膜螺旋线圈组成,线圈间由回线连接成闭合回路, [2]所说的衬底是用各种绝缘陶瓷制成的不同截面形状的棒材和管材中的一种, [3]所说的超导厚膜螺旋线圈和超导厚膜回线之间互相绝缘,它们可以在衬底的同侧,也可以分别在衬底的两侧。
公开号  2068690
公开日  1991-01-02
专利代理机构  北京市第三专利代理事务所
代理人  陆菊华
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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