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用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法
无权-届满
著录变更

申请号:90108281.3 申请日:1990-10-11
摘要:本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法,将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中,直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而,腐蚀是有限的,持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间,同时采用等离子体气体和电极系统,它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷。
申请人: 克里研究公司
地址: 美国北卡罗来纳州
发明(设计)人: 约翰·W·帕穆尔 华双·孔 约翰·A·爱德蒙
主分类号: H01L21/205
分类号: H01L21/205 H01L21/306
  • 法律状态
2010-12-15  专利权有效期届满IPC(主分类):H01L 21/205申请日:19901011授权公告日:19960110期满终止日期:20101011
2002-04-24  
2000-11-29  <变更项目>专利权人<变更前>克里研究公司<变更后>克里公司
1996-01-10  授权
1993-01-06  
1991-04-24  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在碳化硅表面上外延生长一层单晶碳化硅薄膜的方法,该方法可降低所得到的薄膜中以及薄膜和碳化硅表面之间界面中的缺陷密度,该方法包括: 在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本上是平面的表面; 将基本上是平面的表面暴露在腐蚀性等离子体中,直至任何因机械制备而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除,但是持续时间不超过在表面中等离子体腐蚀本身发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所需的时间,并且同时采用等离子体气体和电极系统,它们本身不会在表面中造成显著的缺陷;以及 用化学气相沉积方法在经腐蚀的表面上沉积一层单晶碳化硅薄膜。
公开号  1050949
公开日  1991-04-24
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  段承恩
颁证日  
优先权  1989.10.13 US 421375
国际申请  
国际公布  
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