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硅平面低温度系数稳压管
无权-未缴年费

申请号:89218961.4 申请日:1989-11-04
摘要:一种硅平面低温度系数稳压管,克服了现有的稳压管稳压值低、功率小、适用温度范围不够广的缺点,特征在于,在管座上分别粘接至少二个芯片,其中一个芯片上制作有稳压结,其它芯片上各制作有与稳压结的温度系数相匹配的补偿结,所说的稳压结与补偿结依次串接在一起,可满足航空、航天及处于环境温度急剧变化、特别是负温条件下设备工作的需要。
申请人: 锦州市半导体二厂
地址: 辽宁省锦州市凌河区杏花里矿山街23号
发明(设计)人: 祝春涛 何书琴 单志刚
主分类号: H01L23/58
分类号: H01L23/58
  • 法律状态
1993-03-03  
1991-05-08  授权
1990-09-19  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种硅平面低温度系数稳压管,包括用来起支架和引出电极作用的管座,起密封作用的管帽和粘接在管座上的芯片,其特征在于,在管座1上粘接制作有稳压结5的芯片和粘接制作有与稳压结5的温度系数相匹配的补偿结6的芯片,所说的稳压结5的发射极通过引线与正管脚7相连,稳压结5与补偿结6通过引线相互串接在一起,其连接方式为稳压结5为反向P-N结、补偿结6为正向P-N结,且补偿结6的发射极通过引线与负管脚8相连。
公开号  2062499
公开日  1990-09-19
专利代理机构  锦州市专利事务所
代理人  王胜利
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期