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宽束冷阴极离子源
无权-主动放弃

申请号:89217519.2 申请日:1989-10-06
摘要:本实用新型是宽束冷阴极离子源,用于薄膜离子 束辅助淀积的装置,其主要部件是冷阴极、阳极和一 个以上多孔引出栅组成的放电室,放电室处于永磁体 形成的磁场中,该离子源可安装于各类真空镀膜机 中,具有离子束束流密度和离子能量调节范围大,束 径大,束流分布均匀,寿命长,性能受工作气体种类影 响小。本实用新型结构简单,制造容易,使用方便,并广 泛使用于铝、银、金、硫化锌、氟化镁及多种氧化物薄 膜的离子束辅助淀积,比用常规工艺制得的薄膜强度 高,化学稳定性和光学稳定性优良。
申请人: 西安工业学院
地址: 陕西省西安市金花北路七号 710032
发明(设计)人: 严一心 夏慧琴 卢进军 王树棠 刘吉祥 刘卫国
主分类号: H01J27/04
分类号: H01J27/04
  • 法律状态
1993-02-03  
1990-09-19  授权
1990-02-28  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种宽束冷阴极离子源,由冷阴极[1],阴极座[6],阳极[2]、永磁体[5]和一个以上的多孔引出栅[3]、[4]组成,其特征在于采用阳极径向尺寸10~200mm,截面为园形、椭园形和多边形的柱状或锥状;离子束引出系统由一个以上的多孔引出栅构成;阳极、冷阴极和多孔栅构成放电室;放电室周围放置钴合金永磁体。
公开号  2053796U
公开日  1990-02-28
专利代理机构  国家机械委军工专利事务所
代理人  王松山
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期