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耐高电压的场效应功率晶体管固体组件)
无权-届满

申请号:89212001.0 申请日:1988-12-29
摘要:本实用新型为一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件,它是由若干个VMOS增强型场效应功率晶体管互相串联,加上均压电阻和提供给各单个VMOS增强型场效应功率晶体管的栅极偏压的电阻网络共同组成的,以绝缘材料封装成一体。其功能相当于一个VMOS场效应功率晶体管,可承受万伏以上的高电压,额定输出电流达数安培,适合取代电子管作高电压放大、稳压和稳流之用。
申请人: 谭金发
地址: 湖南省衡阳市黄茶路194号(衡阳半导体厂
发明(设计)人: 谭金发
主分类号: H01L25/11
分类号: H01L25/11 H01L29/784
  • 法律状态
1994-05-18  
1991-08-14  授权
1991-01-02  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件,其特征在于:它是由(N+1)个(N为大于1的整数)VMOS增强型场效应功率晶体管T1~TN+1依次串联起来,(N+1)个均压电阻R1~RN+1也依次串联起来,N对电阻R11和R12,R21和R22,……RN1和RN2它们也分别串联起来,按照(1)将电阻R11和R12的串联点,R21和R22的串联点,……RN1和RN2的串联点分别接到T1的栅极(C1)、T2的栅极(C2),……TN的栅极(CN)各点上;(2)将电阻R11、R21……RN1的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的均压电阻R1~RN+1的N个串联节点(A1)、(A2)、……(AN)上;(3)将电阻R12、R22、……RN2的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的VMOS增强型场效应功率晶体管T1~TN+1的N个串联节点(B1)、(B2)、……(BN)上的方法连接它的内部连线;以T1的漏极作为该固体组件的等效漏极;以TN+1的栅极作为该固体组件的等效栅极,以TN+1的源极作为该固体组件的等效源极。
公开号  2068725
公开日  1991-01-02
专利代理机构  湖南省衡阳市专利事务所
代理人  杨代祯
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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