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MOS集成电路防静电保护器
无权-视为撤回

申请号:89107904.1 申请日:1989-10-11
摘要:本发明属于电子器件。一种MOS集成电路保护器,其特征在于通过在MOS集成电路上卡附或贴附具有使MOS集成电路各脚连通功能的保护器的方法,从根本上杜绝MOS集成电路在接入电子线路前或贮藏,运动过程中因静电感应造成MOS集成电路内部击穿,结构简单,具有多次使用性,广泛适用于MOS集成电路生产厂家,科研单位,电子工作人员使用,同时可保证器件使用率达到100%。
申请人: 孙万杰
地址: 471711河南省洛宁县东宋电器仪表厂
发明(设计)人: 孙万杰
主分类号: H01L23/60
分类号: H01L23/60 H05F3/00
  • 法律状态
1993-08-18  
1991-04-24  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种MOS集成电路防静电保护器,其特征在于所述保护器是一种自上方卡附在电路器件上的金属材料成型,或内沿具有导电层或导电材料的注塑件。或贴附形式,保护器内沿的导电体或导电材料与MOS集成电路各脚连通,使各脚同电位。
公开号  1050950
公开日  1991-04-24
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