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垂直双极晶体管
无权-未缴年费

申请号:89106258.0 申请日:1989-07-31
摘要:压缩式垂直双极晶体管结构消除了标准对称基极接触一侧和收集极接触穿透要求,它包括:收集极层,置于收集极层上的基极层,置于基极层上的发射极层,第一侧壁绝缘层邻接并与发射极,基极层及至少收集极层的一部分的一侧相接触;第二侧壁绝缘层邻接并与发射极层和至少是基极的一部分的另一侧相接触,基极接触延展层由与基极层相同导电型的掺杂半导体材料形成,还有在基极接触延展层表面上的基极接触内连接,与收集极接触的延展层。
申请人: 国际商业机器公司
地址: 美国纽约
发明(设计)人: 沙赫·阿克巴 帕特里西安·拉维勒·克罗森 赛克·欧古拉 尼弗·罗维多
主分类号: H01L29/72
分类号: H01L29/72
  • 法律状态
2009-09-30  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:1995.1.11
2002-04-24  
1995-01-11  授权
1990-02-28  公开
1989-12-27  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一垂直双极晶体管,其特征在于: 一个半导体材料的次收集极层: 以具有第一导电型的掺杂剂掺杂半导体材料的收集极层,上述收集极层是布设在上述次收集极层之上: 以具有第二导电型的掺杂剂掺杂的半导体材料的基极层,上述基极层是布设在上述收集极层之上: 一半导体材料的发射极层是布设在上述基极层之上: 用具有上述第二导电型的掺杂剂对第一层半导体材料进行掺杂及掺杂浓度大于上述基极掺杂浓度,上述第一层接触布设在与上述基极层的一侧相接触,而其上的顶面是在上述发射极层的底面之下,但在上述收集极层顶面之上: 一第一侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射极相接触,且在与半导体材料的上述第一层相同的一侧: 基极接触内连接是布设在上述第一层的上述顶面上,且仅由一或更多的绝缘层与上述发射极层相隔离: 用具有上述第一导电型(例如至少是N+或P+掺杂的掺杂剂对第二层半导体材料进行重掺杂,上述第二层是布设与之相接触且横向接近于上述次收集极层且在上述发射极的另外一侧而不是第一层半导体材料一侧,但其顶面是在上述收集极层的顶面之下:以及 第二侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射极层,上述基极层和至少是上述收集极层的微小部分相接触,并在上述发射极层的而不是上述第一层上述另一侧:以及 收集极接触内连接布设在上述第二层的上述顶面上且仅由一层或更多的绝缘层与上述发射极层相隔离。
公开号  1040116A
公开日  1990-02-28
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  赵越
颁证日  
优先权  1988.8.1 US 226,738
国际申请  
国际公布  
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