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淀积主要由碳组成的薄膜的方法
无权-未缴年费

申请号:89101005.X 申请日:1989-02-25
摘要:当以碳涂层涂敷基底的CVD(化学汽相淀积)法和加强的CVD法在最近引起极大的兴趣的时候,至今存在着碳涂层由于不同的热膨胀或热收缩而从下面的基底擦掉的情况。本发明公开了一种碳淀 积的传统CVD工艺规程的改进,根据本发明淀积条件是变化的,旨在使涂层和下面的基底之间的界面处的碳涂层硬度低于在涂层的外表面处的硬度。
申请人: 株式会社半导体能源研究所
地址: 日本神奈川县
发明(设计)人: 伊藤健二
主分类号: C23C16/26
分类号: C23C16/26
  • 法律状态
2009-04-22  专利权的终止(未缴年费专利权终止)授权公告日:1995.4.5
2002-04-24  
1995-04-05  授权
1991-05-29  
1989-09-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在基底上淀积主要由碳组成的薄膜的方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤: 将物体放置在反应室内; 将包括碳的生产气体引进所述反应室;以及 将能量输进所述反应室,以便分解所述碳化合物气体和将分解的碳制品淀积在所述物体的表面, 其中所述碳涂层的淀积条件是变化的,旨在使最初淀积在所述表面上的碳制品的硬度低于最后淀积的碳制品的硬度,以形成所述碳涂层的外表面。
公开号  1035855
公开日  1989-09-27
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖掬昌 程天正
颁证日  
优先权  1988.2.26 JP 43414/88;1988.3.2 JP 50397/88
国际申请  
国际公布  
进入国家日期