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半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
无权-未缴年费

申请号:89100990.6 申请日:1989-03-09
摘要:一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备,特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理,从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀,提高了晶体结合能,使晶体点阵常数比无磁场时变小,能带结构发生变化,材料优值和强度都得到提高,从而可以提高致冷器件的成品率和致冷效率。
申请人: 哈尔滨师范大学
地址: 黑龙江省哈尔滨市和兴路24号
发明(设计)人: 赵秀平 李将录 荣剑英 赵洪安 董兴才 夏德勇
主分类号: C30B13/30
分类号: C30B13/30
  • 法律状态
1996-04-24  
1993-04-21  授权
1992-08-05  审定
1990-09-19  公开
1990-04-04  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在磁场中制备半导体致冷取向晶体的方法,包括配料、封装、熔炼等步骤,本发明的特征在于在上述步骤之后将冷却结晶为固溶体的合金锭在磁场中进行区熔处理,方法如下: 将冷却后装有合金锭的玻璃锭管固定在区熔设备行走装置的夹具上,使玻璃管轴线铅直并与区熔炉中心轴线一致,区熔炉温控制在650-700℃,然后在磁场H=1800-2500高斯中,使锭管以3-6厘米/小时的速度由上向下运动,晶锭从园锥尖角开始缓慢通过炉区,在磁场中晶锭由下向上区熔生长为取向晶体。
公开号  1045427
公开日  1990-09-19
专利代理机构  哈尔滨工业大学专利事务所
代理人  黄锦阳
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期