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用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
无权-视为撤回

申请号:89100864.0 申请日:1989-02-15
摘要:用干法刻蚀多晶硅的LOCOS法以除去所谓的“鸟嘴”现象(它是在一衬底上形成一氧化膜和一氮化膜而形成一隔离氧化膜时使氮化膜凸起),刻蚀要生长一隔离氧化膜处的氮化膜区,并在其上沉积一多晶硅,此后用干法刻蚀多晶硅,使得它只有在氧化膜和氮化膜之间的边界区处的氮化膜的侧面留下来,注入沟道截止区的离子并生长隔离氧化膜,此后除去该氧化膜和氮化膜。
申请人: 金星半导体株式会社
地址: 南朝鲜汉城特别市
发明(设计)人: 金达洙
主分类号: H01L21/30
分类号: H01L21/30
  • 法律状态
1991-11-27  
1989-09-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用干法刻蚀多晶硅的LOCOS(局部氧化硅)法,其特征在于包括下列步骤: 依次在一衬底上形成一层氧化膜和一层氮化膜; 在除去要形成隔离氧化膜的所说氮化膜区处,沉积多晶硅; 用干式刻蚀法刻蚀所说多晶硅,使得只在所说氮化膜的侧面上留下多晶硅; 将沟道截止区的离子以一预定深度注入该讨底的表面; 形成隔离氧化膜;以及 除去所说氮化膜和氧化膜。
公开号  1035916A
公开日  1989-09-27
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖掬昌 肖春京
颁证日  
优先权  1988.2.15 KR 1643/88
国际申请  
国际公布  
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