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差压传感器
无权-未缴年费

申请号:88108847.1 申请日:1988-11-25
摘要:本发明给出了一种能进行适当的静压补偿的差压传感器。该差压传感器包括有一个半导体敏感基片和一个半导体敏感基片牢固地装置在其上的固定用底座,其特征在于利用敏感基片和底座的杨氏弹性模置的不同来检测流体的差压,对敏感基片的一侧或两侧进行处理以形成一比其环绕着它的部位更薄的部位,从而使由静压荷载所产生的峰值应力出现在这一较薄部位中,并检测形成在这一较薄薄部位处的压阻型力敏电阻的阻抗变化。
申请人: 株式会社日立制作所
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 嶋田智 清水康司 鵜征一
主分类号: G01L13/06
分类号: G01L13/06
  • 法律状态
1998-01-14  
1992-09-09  授权
1991-12-18  审定
1989-10-04  公开
1989-09-13  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种差压传感器,包括:至少一个基片,一个用于装置该基片的底座,以及形成在基片上的至少一个压阻型力敏电阻,其特征在于该基片是这样形成的,即使得其峰值应力出现在压阻型力敏电阻的附近。
公开号  1036076A
公开日  1989-10-04
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杜日新
颁证日  
优先权  1987.11.27 JP 297629/87
国际申请  
国际公布  
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