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离子注入表面电荷控制方法及装置
无权-未缴年费
更正

申请号:88108755.6 申请日:1988-12-23
摘要:一个离子束中和器(10),高能电子(40)被引导通过离子束中性化区域或含有可电离气体的区域,当高能电子与气体分子碰撞时,电离气体分子产生低能电子,它被带正电的离子束(14)俘获,当高能电子穿过中性化区域后,它们被一圆柱导体(30)和一加速栅极(50)偏转回中性化区域,该圆柱导体(30)被偏置得能偏转高能电子,栅极能加速电子返回束中性化区域。
申请人: 伊顿有限公司
地址: 美国克利夫兰
发明(设计)人: 马文·法利
主分类号: H01J37/00
分类号: H01J37/00 H01J37/317 H01L21/265 C30B31/22
  • 法律状态
2000-02-16  
1995-11-29  授权
1995-07-05  发明专利公报更正更正卷=9号=47页码=110更正项目=发明事务误=视放公告正=删去
1993-11-24  
1992-08-19  审定
1991-04-24  
1989-09-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、在一个包括一个产生带正电离子束(14)并引导所述离子束沿一个路径撞击一个工件的离子源(12)的离子束注入系统中,控制离子束对工件充电的装置包括: (a)源装置(38),引导高能电子通过所述离子束贯穿的一个束中性化区域; (b)在该束中性化区提供可电离气体的装置,气体与所述高能电子碰撞以提供被所述离子束俘获的低能次级电子从而减低所述离子束的电荷; (c)排斥极装置(30),以偏转通过所述束中性化区域的高能电子回到所述束中性化区域;及 (d)栅极装置(50),以加速被排斥极装置偏转的电子回到该束中性化区域。
公开号  1035914
公开日  1989-09-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  付康
颁证日  
优先权  1988.1.11 US 142,365
国际申请  
国际公布  
进入国家日期