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低热膨胀系数薄磁性金属层的制造方法
无权-视为撤回

申请号:88106635.4 申请日:1988-09-10
摘要:本发明描述制造薄磁性层的方法。材料的组成是由通式REFe12-xTx所定义,其中RE是选自Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Lu和Y的一种元素,其中T是选自Si,Ti,V,Cr,Mo和W的一种元素,并且其中1≤X≤4。此材料是由气相淀积技术施加的。
申请人: 菲利浦光灯制造公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: 库尔特·海因茨·于尔根·布斯乔
主分类号: C23C14/14
分类号: C23C14/14 H01F1/04
  • 法律状态
1993-01-20  
1990-09-12  
1989-03-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在基体上制造热膨胀系数低的薄磁性金属层的方法,其特征在于该磁性金属材料的组成由通式REFe12-xTX所定义,其中RE是选自Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Lu和Y的一种元素,其中T是选自Si,Ti,V,Cr,Mo和W的一种元素,其中1≤X≤4,此方法是通过气相淀积技术来实施的。
公开号  1032037
公开日  1989-03-29
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  杨剑侠
颁证日  
优先权  1987.9.14 NL 8702180
国际申请  
国际公布  
进入国家日期