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晶须增强陶瓷及其包覆/ 热等 静压制方法
无权-未缴年费

申请号:88106365.7 申请日:1988-09-02
摘要:用热等静压制陶瓷制品的方法包括步骤(a)形成可烧结陶瓷混合物的压坯,(b)用汽相沉积法对压坯涂覆陶瓷混合物覆层,混合物在随后的等静压制步骤前或压制过程中不会陶化,(c)在压制温度和压力下在能与覆层及/或压坯反应的气氛中,将涂覆过的压坯加热并等静压制,使压坯接近理论密度。该方法用于制造烧制的陶瓷压坯,该压坯有约大于12.5%(体积比)的晶须填料。
申请人: 钴碳化钨硬质合金公司
地址: 美国宾夕法尼亚州
发明(设计)人: 潘凯杰·K·梅霍特雷 乔伊斯·L·斯奥克劳 伊丽莎白·R·比尔曼
主分类号: C04B35/80
分类号: C04B35/80 C04B35/56
  • 法律状态
1994-10-19  
1992-12-16  授权
1992-04-08  审定
1989-04-05  
1989-03-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用热等静压制使其中掺有陶瓷晶须相的成形陶瓷制品的密度达到大于95%理论值的方法,该方法包括的步骤为, (a)形成一种其中至少有5%(体积比)陶瓷晶须的可烧结陶瓷混合物压坯基质, (b)在压坯基底上汽相沉积一种在随后的热等静压制之前或过程中不陶化的陶瓷混合物覆层,以及 (c)在能与覆层及/或压坯基质反应的气氛中,将涂覆过的压坯基底在使压坯接近理论密度的温度和压力下加热等静压制。
公开号  1031996
公开日  1989-03-29
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  栾本生
颁证日  
优先权  1987.9.2 US 092,118
国际申请  
国际公布  
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