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一种制造氧化物超导体的方法,和一种制作为该氧化物超导体光质的混合氧化物粉末的方法
无权-未缴年费

申请号:88104870.4 申请日:1988-08-09
摘要:制造含有至少一种碱土金属和铜的氧化物超导体的方法,包括的步骤:在氧分压最高为50乇的气氛中在500℃到1000℃的温度范围内加热构成该氧化物超导体的元素的材料物质;然后在含氧气氛中加热该材料物质。也公开了一种制造混合氧化物粉末(该氧化物超导体的先质)的方法,该方法包括的步骤:在氧分压最高为50的气氛中,在温度范围从500℃到1000℃之下加热该材料物质,并把该材料物质碾成粉末。
申请人: 古河电气工业株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 宇野直树 榎本宪嗣 田中靖三 志贺章二
主分类号: H01B12/00
分类号: H01B12/00 H01B13/00
  • 法律状态
2002-10-02  
2002-04-24  
1995-07-05  授权
1989-04-05  
1989-03-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制造氧化物超导体的方法,该超导体至少含有一种碱土金属和铜,所述方法包括下述步骤: 在氧分压高至50乇的气氛中,在温度为500℃-1000℃的范围内,将含有构成该氧化物超导体元素的一种材料物质加热;然后, 在一种含氧的气氛中加热该材料物质。
公开号  1032086
公开日  1989-03-29
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  邹光新
颁证日  
优先权  1987.8.10 JP 199470/87;1987.8.12 JP 201524/87;1987.8.13 JP 202415/87;1987.11.20 JP 293758/87;1987.12.1 JP 304261/87;1988.2.24 JP 41750/88;[3
国际申请  
国际公布  
进入国家日期