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CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺
无权-未缴年费

申请号:88101555.5 申请日:1988-03-19
摘要:一种半导体材料的处理方法,特别是CMOS器件用硅片缺陷控制和利用工艺,其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照,然后进行切、磨、抛等硅片加工,合格的硅抛光片清洗处理后,直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序。该工艺稳定、重复性好,可大大节约工时和能耗。用该工艺处理的硅片制造CMOS器件成品率及电参数均得到大大提高。因此,可广泛用于CMOS器件的制造。
申请人: 河北工学院
地址: 天津市红桥区丁字沽一号路
发明(设计)人: 徐岳生 张维连 任丙彦 林秀俊 鞠玉林 吕淑求 崔德升
主分类号: H01L21/324
分类号: H01L21/324 H01L21/316 C30B33/00
  • 法律状态
1998-05-13  
1991-08-14  授权
1990-12-19  审定
1989-09-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种CMOS器件用硅片的缺陷控制和利用工艺,工序是将自然直拉硅单晶进行中子辐照,然后进行切、磨、抛等硅片加工,其特征在于合格的硅抛光片清洗处理后,直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序,具体步骤是: ①将硅抛光片在干氧保护气氛下,1000℃-1180℃的扩散炉内恒温1-2小时; ②硅片移动到炉内温度为850℃-950℃时停留1-2分钟; ③出炉后自然冷却。
公开号  1035917
公开日  1989-09-27
专利代理机构  天津市机械工业管理局专利事务所
代理人  李国茹 李凤
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期