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减少封装应力制造半导体器件的方法
无权-未缴年费
著录变更

申请号:87108334 申请日:1987-12-16
摘要:一种半导体器件,它有一玻璃跃变温度低于150℃的消除应力层。通常此消除应力层位于器件的电互连系统上方而不在压焊盘区域的上方。这实质上就缓解了因热产生的应力,否则此应力将使器件中的电子元件损坏,这种工艺同时也使从外封装覆盖层48伸出的导体组32和34上的最大应力发生在能够承受该应力的压焊区域。此消除应力层最好用光刻形成图案的方法加工。
申请人: 菲利浦光灯制造公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: 迈伦·拉尔夫·卡根 道格拉斯·弗雷德里克·里德利 丹尼尔·詹姆斯·贝尔顿
主分类号: H01L21/56
分类号: H01L21/56 H01L23/28
  • 法律状态
2004-02-11  
2002-03-20  
1998-12-16  <变更项目>专利权人<变更前>菲利浦电子有限公司<变更后>皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24  <变更项目>专利权人<变更前>菲利浦光灯制造公司<变更后>菲利浦电子有限公司
1992-07-01  授权
1991-10-16  审定
1990-02-14  
1988-07-13  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制造半导体器件的方法,在此方法中,电绝缘层14置于同半导体10相接触的电互连系统12上;窗口24贯穿绝缘层并向下延伸到互连系统12的压焊盘16;每个压焊盘都和一组导体32、34的一个不同的压焊部分36相接触,这组导体从窗口24引出并离开互连结构;电绝缘覆盖层48涂覆着半导体10、互连系统12、绝缘层14和压焊部分36并使每一导体组32、34中的32的一部分从覆盖层48中穿出;在此方法中消除应力层46在绝缘层14和绝缘封装覆盖层48之间形成,此消除应力层位于互连系统12的上方而不在形成压焊部分36的压焊盘16区域的上方,本方法的特征在于消除应力层是用如下方法形成的:在绝缘层14上形成一仿刻图层42、50、58,消除压焊盘16以上的仿刻图层,仿刻图层的保留部分形成消除应力层46,此消除应力层实质上是由具有橡胶特性的和电绝缘的材料组成,这些材料的玻璃跃变温度TG低于150℃。
公开号  87108334
公开日  1988-07-13
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖掬昌 吴秉芬
颁证日  
优先权  1986.12.19 US 944,268
国际申请  
国际公布  
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