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热敏元件及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:87107469 申请日:1987-12-16
摘要:本发明涉及适用于红外线检测和温度检测的热电式红外线敏感元件等热敏元件及其制造方法,其特征是:为了提高红外线吸收效率,在由热电体等构成的热敏元件基体上的薄膜电极上,利用电解法生成一层贵重金属黑化膜。
申请人: 株式会社岛津制作所
地址: 日本京都市
发明(设计)人: 冈正太郎 喜多纯一 九山浩树 喜利元贞
主分类号: H01L49/00
分类号: H01L49/00
  • 法律状态
1993-10-13  
1991-12-11  授权
1991-03-27  审定
1990-05-09  
1988-07-13  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种热敏元件,在该热敏元件的基体上至少形成一对薄膜电极,并且至少在其中的一个薄膜电极表面上用电解法涂敷一层贵重金属黑膜。
公开号  87107469
公开日  1988-07-13
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  冯庚
颁证日  
优先权  1986.12.16 JP 300259/86;1986.12.16 JP 300260/86;1986.12.29 JP 311162/86
国际申请  
国际公布  
进入国家日期