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多源型平面磁控溅射源
无权-未缴年费

申请号:87106938 申请日:1987-10-12
摘要:一种多源型平面磁控溅射源,其磁场源由一个静止的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件(6)构成,阴极靶(8)由若干个可拆换的异质扇形小靶拼成,阴极靶(8)的上方有一个开有若干个扇形孔、能同内磁组件(6)作同步运动的挡板(25)。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75%以上;共溅沉积合金膜时,靶材利用率达85%以上,膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。
申请人: 浙江大学
地址: 浙江省杭州市玉泉
发明(设计)人: 王德苗 任高潮
主分类号: C23C14/36
分类号: C23C14/36 C23C14/54
  • 法律状态
1992-02-05  
1989-12-06  授权
1989-04-19  审定
1988-07-13  公开
1988-05-11  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种由磁场源、阴极靶、水冷器以及屏蔽罩等组成的多源型平面磁控溅射源,其特征在于该溅射源含有一个由静止的外磁组件和一个或多个可作旋转运动的内磁组件[6]组成的磁场源,一个由若干个异质扇形小靶拼成的圆形平面阴极靶[8],一个布置在阴极靶[8]上方、开有一个或若干个扇形孔、能与内磁组件[6]作同步运动的挡板[25],以及一个优先冷却阴极靶[8]溅射区的水冷器。
公开号  87106938
公开日  1988-07-13
专利代理机构  浙江大学专利代理事务所
代理人  连寿金
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期