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枪磁控溅射源
无权-未缴年费

申请号:87105701 申请日:1987-08-18
摘要:一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能 对阴极靶[4]的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和 采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的S—枪 磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较,靶材利用率 提高80%以上,溅射速率提高50%。 对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金 属零件的表面,应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆 一层结合牢固的金属薄膜后,能提高其应用价值,产 生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的 镀膜机进行改造。
申请人: 浙江大学
地址: 浙江省杭州市玉泉
发明(设计)人: 王德苗 梁素珍 任高潮 徐电 陈抗生
主分类号: C23C14/36
分类号: C23C14/36
  • 法律状态
1994-09-28  
1990-02-14  授权
1989-06-21  审定
1988-06-15  公开
1988-04-20  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种含有一个磁场源、一个阴极靶、一个靶的水冷器、一个中心阳极以及一个屏蔽罩等构成的S-枪磁控溅射源,其特征在于该溅射源包含一个采用导磁材料制成的中心阳极,一个等厚度的阴极靶[4],一个能使阴极靶[4]底部、侧面和上极靴[9]同时得到有效冷却的水冷器,一个使阴极靶[4]靶面始终保持洁净工作气氛的充气器。
公开号  87105701A
公开日  1988-06-15
专利代理机构  浙江大学专利代理事务所
代理人  连寿金
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期