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液氮温区超道薄膜及其制备方法
无权-未缴年费

申请号:87102739.9 申请日:1987-04-15
摘要:本发明的液氮温区超导薄膜制备工艺,按AxB5-xCu5O5(3-y)或AxB1-xCuO3-y体系制成化合物靶,其中A=Ca,Sr,Ba;B=Sc,Y,La;X=0.5-0.6;Y=0.5-1;后者体系X=0.3-0.7。用直流(或射频)磁控溅射和热处理工艺,工艺简单、可重复,稳定性好。制备的薄膜厚度0.5-1μm,在液氮温区呈现超导,用电阻法或感应法可测量其薄膜的超导电性。
申请人: 中国科学院物理研究所
地址: 北京603信箱
发明(设计)人: 赵柏儒 王会生 陆勇 史引焕 赵玉英 李林
主分类号: H01B12/06
分类号: H01B12/06 C22C29/12
  • 法律状态
1993-07-28  
1990-03-07  授权
1989-08-02  审定
1989-03-29  公开
1987-09-16  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种液氮温区超导薄膜的制备方法,其特征是压铸成型高温烧结的化合物靶,直流(或射频)磁控充氩溅射和热处理工艺过程。
公开号  1032087
公开日  1989-03-29
专利代理机构  中国科学院物理研究所专利办公室
代理人  张爱莲
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期