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半导体器件及其制造方法
无权-未缴年费

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING

申请号:87102619 申请日:1987-04-04
摘要:一种具有多结的非晶形或微晶形半导体的光电 器件,其中包含高浓度杂质的一或多层被插入在p型 导电层和n型导电层之间。被插入的层形成一隧道 结以提高光电转换率。
Abstract: A semiconductor device of amorphous or microcrystalline semiconductor for use as a photovoltaic cell has a multijunction (1) wherein one or more layers (4, 5) including a high concentration of impurities is interposed between a p-type conductive layer (2) and an n-type conductive layer (3). A tunnel junction is formed by the interposed layer (4, 5) to elevate photo-electric conversion rate.
申请人: 钟渊化学工业株式会社
Applicant:
地址: 日本大阪
发明(设计)人: 山岸英雄 山口美则 浅冈圭三 宏江昭彦 近藤正隆 津下和永 太和田善久
Inventor:
主分类号: H01L31/06
分类号: H01L31/06 H01L31/18
  • 法律状态
2000-05-31  
1992-05-27  授权
1991-09-11  审定
1989-01-18  
1987-11-11  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种实质上由非晶形和/或微晶形材料组成的半导体器件,其特征在于,它的多结结层包括一或多层掺以n型掺杂剂的n型层,一或多层掺以p型掺杂剂的p型层,以及至少一层包括一个高浓度的杂质并被插入所说p型和所说n型层间的薄层,从而促进载流子的复合。
公开号  87102619A
公开日  1987-11-11
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖掬昌 肖春京
颁证日  
优先权  1986.4.4 JP 78598/86
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  198678598  19860404 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数