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制造阴极射线管的方法
无权-届满

申请号:87101270 申请日:1987-12-23
摘要:根据本发明,通过主要由缩合硅酸烷基酯构成的 聚烷基硅氧烷的缩合反应,在阴极射线管(1)屏盘(2) 上形成一层SiO2薄膜,从而容易地形成一层高粘结 强度的抗静电/防反射薄膜(3)。结果,能适当地设 定形成抗静电/防反射薄膜(3)的烧结条件。抗静电 效果得到进一步增强,外光反射减小而工作能力大大 改善。
申请人: 株式会社东芝 多摩化学工业株式会社
地址: 日本神奈川县
发明(设计)人: 伊藤武夫 松田秀三 吉迫守 八木修
主分类号: H01J9/24
分类号: H01J9/24 H01J29/89 H01J29/88
  • 法律状态
2008-04-23  专利权的终止(专利权有效期届满)授权公告日:1991.5.15
2002-03-20  
1991-05-15  授权
1990-10-03  审定
1988-07-06  公开
1988-06-08  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种制造阴极射线管(1)的方法,其特征包括以下步骤: 在阴极射线管(1)的屏盘上被覆包含聚烷基硅氧烷的溶液,此聚烷基硅氧烷是在二聚物到六聚物的平均范围内缩合硅酸烷基酯而得到的;以及 缩合所得的聚烷基硅氧烷,从而在所述屏盘(2)上形成SiO2薄膜(3)。
公开号  87101270A
公开日  1988-07-06
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杜月新
颁证日  
优先权  1986.12.23 JP 305206/86
国际申请  
国际公布  
进入国家日期