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一种多晶硅自对准双极器件及其制造工艺
无权-视为撤回

申请号:87100294 申请日:1987-01-15
摘要:一种在半导体基片的表面上生成的双极晶体管,它包括一个在所述半导体的部分发射极—基极区域里生成的第一种导电型的含杂质基极,在含杂质基极上面生成一导电的基极接触层.它具有在其侧壁上面生成的一不导电的隔离层.在发射极--基极区域里一无杂质基极与含杂质基极并置.在无杂质基极内形成第二种导电型的发射极,该发射极具有一个发射边缘,它与隔离层的外缘对准.
申请人: 德克萨斯仪器公司
地址: 美国德克萨斯州75265
发明(设计)人: 道格拉斯·P·弗莱特 杰弗里·E·布赖顿 迪姆斯·兰迪·霍林斯沃思 曼纽尔·路易斯·托莱诺
主分类号: H01L29/02
分类号: H01L29/02 H01L29/72 H01L21/22
  • 法律状态
1989-11-15  
1987-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种在半导体表面上生成的双极晶体管,其特征在于,它包: 一个在上述半导体的发射极-基极区域部分里生成的第一种导电型的含杂质基极; 一个至少部分地复盖上述含杂质基极而生成的导电的基极接触层,它具有一在其侧壁上面生成的不导电的隔离层盖在发射极-基极区域上; 一个在邻接上述含杂质基极的上述发射极-基极区域里的无杂质基极; 以及一个在上述无杂质基极里生成的第二种导电型的发射极,它具有一个邻近上述含杂质基极并与上述隔离层的一个外缘对准的边缘,以及封闭上述晶体管的隔离装置。
公开号  87100294
公开日  1987-08-26
专利代理机构  上海专利事务所
代理人  吴淑芳
颁证日  
优先权  1986.1.30 US 824,388
国际申请  
国际公布  
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