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CMOS电路直接触发的可控硅交流控制装置
无权-未缴年费

申请号:86206231 申请日:1986-08-25
摘要:本实用新型涉及一种灵敏的可控硅交流控制装置,由运行于交流市电的CMOS电路直接触发由两支单向可控硅和一支二极管组成的准双向可控硅,或由准双向可控硅和一支双向可控硅组成的大功率复合可控硅。本实用新型以微安级触发电流,即能实现小功率交流负载的控制,也可以实现对几安、几十安至几百安甚至更大交流负载的控制。利用本实用新型的准双向可控硅和复合可控硅可以组成以微安级电流控制触发的新型通用的双向可控硅系列。
申请人: 广东省农业机械研究所
地址: 广东省广州市石牌省农业机械研究所
发明(设计)人: 庄建方 许斯乾
主分类号: H02M1/06
分类号: H02M1/06
  • 法律状态
1991-01-23  
1988-11-16  授权
1988-02-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种可控硅交流控制装置,由CMOS触发电路部分和可控硅部分组成,其特征是: a、由CMOS电路2的输出端直接触发的可控硅部分为准双向可控硅3,准双向可控硅3由单向可控硅SCR1、SCR2和二极管D2组成,D2的正极与SCR2的阴极K相联后,经负载RZ接交流市电的一端,D2的负极与SCR1的阳极A和SCR2的控制极G相联,SCR1的阴极K和SCR2的阳极A相联后,接交流市电的另一端,CMOS电路2的输出端Q经电阻R2接SCR1的控制极G; b、准双向可控硅3和双向可控硅SCR3组成复合可控硅4,SCR3的第二电极T2与准双向可控硅3的一端M相联后,经负载RZ接交流市电的一端,SCR3的控制极G接准双向可控硅3的另一端N,SCR3的第一电极T1接交流市电的另一端; c、CMOS电路2的工作电源由整流二极管D1、电阻R1、稳压二极管DW和电容C组成的整流滤波电路1供给,D1正极接交流市电的一端,D1负极经电阻R1与DW的负极和电容C的正极相联后,接CMOS电路2的正极,CMOS电路2的负极与DW的正极和电容C的负极相联后,接交流市电的另一端。
公开号  86206231
公开日  1988-02-10
专利代理机构  广东专利事务所
代理人  周长久
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期