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单晶连续生长装置
无权-届满

DEVICE FOR SINGLE CRYSTAL CONTINUE GROWTH

申请号:86200234 申请日:1986-01-31
摘要:单晶连续生长装置是单晶连续生长的设备,其 特征为拉晶、退火连续进行。本实用新型是把拉晶 炉和退火炉合为一体,由温度控制装置控制,实现 热连续。拉晶头可以是一个,也可以是多个。本实 用新型可以有效地节约投资,节约能耗,提高劳动 生产率。
Abstract: The device for single crystal continuous growth is the equipment for single crystal continuous growth. The utility model is characterized in continuously conducting crystal pulling and anneal. The utility model integrates the crystal pulling furnace and the anneal furnace. The device for single crystal continuous growth is controlled by a temperature control device to realize continuous heat. The number of the crystal pulling head can be one or more. The utility model can effectively decrease investments, save energy consumption and improve labor productivity.
申请人: 中国科学院声学研究所
Applicant:
地址: 北京市中关村路5号
发明(设计)人: 施仲坚 李惠章 刘金龙
Inventor:
主分类号: C30B15/00
分类号: C30B15/00
  • 法律状态
1987-05-06  授权
1986-10-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种采用白金质坩埚提拉单晶的装置,其特征在于它由拉晶炉(7),退火炉(8),降温区(9),(10),晶体运输机械系统(15),(16),(17),(18),隔热堵头11-1,11-2,11-3,11-4,温度控制装置所构成。
公开号  86200234U
公开日  1986-10-22
专利代理机构  中国科学院声学研究所专利办公室
代理人  崔茹华 夏秀英
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  86200234  19860131 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
被引用文献
US2014182512A1CN103898598A