搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

离子层对铝阴极的保护技术
无权-驳回

申请号:86107507 申请日:1986-10-21
摘要:一种离子层对铝阴极的保护技术属于气体放电电子器件生产工艺。该技术将锆铝汞片点焊在氧化的铝阴极上,再将铝阴极装入电子器件中并抽真空,再用高频电炉对铝阴极和锆铝汞片除气后,用高频炉加热线圈对锆铝汞片加热激活并同时释放汞蒸汽,形成汞离子保护层。该离子层可以保护铝冷阴极,防止溅射现象发生,延长该类器件的工作寿命。该技术已用于内腔式玻璃结构的氦氖激光管生产中。
申请人: 山东师范大学
地址: 山东省济南市文化东路
发明(设计)人: 王喜山
主分类号: H01J9/02
分类号: H01J9/02 H01J1/30 H01S3/22
  • 法律状态
1989-02-15  
1988-09-21  
1988-06-15  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种离子层对铝阴极的保护技术,利用放电氧化法,将铝阴极在纯氧中完善氧化,形成氧化层。本发明的特征在于,将锆铝汞片点焊在铝阴极上,对铝阴极和锆铝汞片除气后,再加热激活锆铝汞片,使其释放汞蒸气。
公开号  86107507A
公开日  1988-06-15
专利代理机构  山东省高等院校专利事务所
代理人  崔日新 娄安境
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期