搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

形成沉积薄膜的方法
无权-届满

申请号:86107084 申请日:1986-10-21
摘要:一种形成沉积膜的方法包括:把形成沉积膜的气 态原料、对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂 (X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化 剂导入反应区,使它们有效的接触以形成包括处于 激发态的多种中间体,和用这些中间体中的至少一 种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中 的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上 法相似,但增加了含作为价电子控制剂的要素的成 分的气态原料(D)。
申请人: 佳能株式会社
地址: 日本东京
发明(设计)人: 石原俊一 半那纯一 清水勇
主分类号: C23C16/00
分类号: C23C16/00
  • 法律状态
2002-06-05  
1993-04-14  
1992-09-02  授权
1991-12-04  审定
1989-03-01  
1987-05-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种形成沉积膜的方法,该方法包括把形成沉积膜的气态原料、对该气态原料具有氧化作用的气态囟素氧化剂(X)和具有同样性质的气态氧型和氮型氧化剂中至少一种氧化剂(ON)导入反应区,使它们有效地化学接触以形成包括处于激发态的多种中间体,这些中间体中的至少一种作为沉积膜组成元素的供应源,在置于成膜区中的基底上形成沉积膜。
公开号  86107084A
公开日  1987-05-27
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  罗英铭 陈季壮
颁证日  
优先权  1985.10.24 JP 238495/95;1985.10.25 JP 238902/85
国际申请  
国际公布  
进入国家日期