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光电型器件及其制造方法
无权-届满

申请号:86105984 申请日:1986-08-07
摘要:一种光电型器件,基片表面上有多个透明电极, 这些电极分别连接多个光电转换元上。在每个电极 的一端上有一个导电体和一个绝缘体。在基片表面 上还有一个非晶硅半导体光敏层,它覆盖着透明电 极,导电体和绝缘体。在半导体光敏层上有一个底电 极,将激光束从底电极一侧照射到绝缘体上,则使底 电极及其下面的半导体光敏层的被照射部分断开。 从底电极侧将激光束照射到导电体上,每个光电转 换元的底电极通过电体与相邻的透光电极相连通。
申请人: 三洋电机株式会社
地址: 日本守口市京阪本通2丁目18番地
发明(设计)人: 邑田健治 岸靖雄
主分类号: H01L31/04
分类号: H01L31/04 H01L31/18
  • 法律状态
2002-04-03  
1990-11-21  授权
1990-03-07  审定
1988-12-14  
1987-04-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种光电器件,其特征在于它包含有: 一个具有绝缘表面的基片, 若干个第一电极,它们形成在所述的基片的绝缘表面上,并分属于各个光电转换元, 半导体光敏层,它形成在所述的基底的绝缘表面上并覆盖着所述的第一电极。 若干个导体,它们形成在第一电极之上并在半导体光敏层之下,由所述的第一电极之间的间隔限定的边缘部分, 若干个绝缘体,它们形成在靠近所述导体的地方。 第三电极,它形成在所述的半导体光敏层上, 而且, 用能量束从所述的第二电极一侧向所述的绝缘部位照射,由此将半导体光敏层和第二电极分断开来以形成一个个的光电转换元。 用能量束从所述的第二电极一侧向所述的导体部位照射,由此将每一光电转换元的第二电极与相邻的光电转换元的第一电极进行连接。
公开号  86105984A
公开日  1987-04-29
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖春京 吴秉芬
颁证日  
优先权  1985.8.7 JP 173684/1985;1985.10.15 JP 230552/1985;1986.1.20 JP 9334/1986
国际申请  
国际公布  
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