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磁阻读出传感器
无权-届满

申请号:86105533 申请日:1986-07-30
摘要:一种磁阻读出传感器组件,由淀积在端区并与 之直接接触的反铁磁性材料薄膜产生的互调偏置仅 在磁阻层薄膜端区建立纵向偏置磁场。该场强足以 保持此端区处于单磁畴状态,由此在磁阻层中心区 感生出单磁畴状态。在磁阻层中心区建立偏置磁场, 其场强足以保持该区处于线性响应工作状态。彼此 隔开的导电元件与磁阻层中心区相连以确定探测 区,于是与导电元件相连的信号输出装置可把探测 区内磁阻层的电阻变化确定为其截获到的磁场的函 数。
申请人: 国际商用机器公司
地址: 美国纽约州10504
发明(设计)人: 唐清华
主分类号: G11B5/12
分类号: G11B5/12
  • 法律状态
2002-03-20  
1991-01-23  授权
1990-07-04  审定
1988-09-28  
1987-04-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、具有用磁性材料制成的磁阻导电层的磁阻读出传感器组件,上述磁阻导电层具有被中心区域隔开的端区; 其特征在于: 具有仅在上述磁阻层的上述端区产生纵向偏置磁场的装置,该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述端区处于单磁畴状态,由此在上述中心区域内感生出单磁畴状态; 具有至少在上述磁阻层的上述中心区的部分区域内产生横向偏置磁场的装置,该偏置场的强度足以保持上述磁阻层的上述加有横向偏置场的部分处于线性响应工作状态;以及具有在上述中心区域内与上述磁阻层相连接的导电装置,用以限定探测区,由此连接到导电装置的读出装置能够确定上述磁阻层探测区内电阻的变化,该变化是由上述磁阻层感测到的磁场的函数。
公开号  86105533A
公开日  1987-04-29
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  王以平
颁证日  
优先权  1985.8.15 US 766,157
国际申请  
国际公布  
进入国家日期