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用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器
无权-撤回

申请号:86103472 申请日:1986-05-22
摘要:本发明倒相器的两个晶体管(tn、tp)是通过两个 电容(c1、c2)纯粹容性地驱动的,(tn、tp)的直流工作 点通过来自参考电流源(sr)的输出电流的驱动电流 来确定。由此对输入信号的正、负脉冲沿给出相同的 延迟,这样,与作为电压比较器的差分放大器(k)一 起的最佳应用能在10~20MHz频率范围内达到良好 的高频响应。
申请人: 德国ITT工业有限公司
地址: 联邦德国弗赖堡78********(隐藏)
发明(设计)人: 沃夫冈·格林格
主分类号: H03F3/18
分类号: H03F3/18 H03F3/16
  • 法律状态
1987-05-27  
1986-12-24  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、用CMOS技术实现的倒相器及其所包括的两个晶体管,也就是p沟道晶体管(tp)和n沟道晶体管(tn)。 所述两个晶体管的控制电流通路串联在电压源的正端(vd)和负端(vs)之间,而这两个晶体管的连接点构成倒相器的输出端(ag), 该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电容(c1)连接到倒相器输入端(e), 而该n沟道晶体管(tn)也就是第一电流反映电路(s1)的输出晶体管, 所述倒相器及其所包括的两个晶体管其特征在于以下特点: 该p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电容(c2)连接到倒相器的输入端(e); 该p沟道晶体管(tp)就是第二电流反映电路(s2)的输出晶体管; 第一电流反映电路(s1)的输出电流和第二电流反映电路(s2)的输出电流根据倒相器的两个输出电平(H,L),在高值电流和低值电流之间转换,这样,在H电平时,第一电流反映电路(s1)能够有低值电流,在L电平时,(s1)能够有高值电流;而第二电流反映电路(s2)则在H电平时能够有高值电流,在L电平时,能够有低值电流。 第一电流反映电路(s1)的驱动电流(is1)是第三电流反映电路(s3)的输出电流(ia3),而第三电流反映电路(s3)的驱动电流(is3)又是参考电流反映电路(sr)的第一输出电流(iar1); 第二电流反映电路(s2)的驱动电流(is2)是参考电流反映电路(sr)的第二输出电流(iar2), 该n沟道晶体管(tn)的栅极通过第一电阻(r1)连接到第一电流反映电路(s1)的驱动输入端,而p沟道晶体管(tp)的栅极通过第二电阻(r2)连接到第二电流反映电路(s2)的驱动输入端。
公开号  86103472A
公开日  1986-12-24
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  王以平
颁证日  
优先权  1985.6.28 EP 85108065.5
国际申请  
国际公布  
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