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导电率调制型NOS场效应管的过电流保护电路
无权-届满

申请号:86103419 申请日:1986-05-14
摘要:双极性场效应管(BIFET)的过电流保沪电路具有探测BIFET的漏极和源极之间电压的电压探测电路和一种主开关电路用来降低BIFET的栅极和源极之间电压以及跟据电压探测电路的输出来防止BIFET的导通事故或导通延迟.接收到接通栅极信号后,BIFET初始导通期间,在主开关电路变成导通时刻之前有一个延迟时间常数.在本发明中,这样一种情况可以防止,在BIFET初始导通期间过电流保护电路起作用使BIFET不导通或经过一些延迟以后才导通.
申请人: 东芝株式会社
地址: 日本神奈川县川崎市幸区崛川町72番地
发明(设计)人: 冈土千寻 山口好広 中川明夫
主分类号: H02H3/08
分类号: H02H3/08 H01L23/56
  • 法律状态
2002-01-02  
1989-12-20  授权
1989-05-10  审定
1986-11-12  公开
1986-10-01  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种双极型场效应晶体管(BIFET)的过电流保护电路,BIFET的栅极连接到产生栅极信号电路的输出端,该产生栅极信号的电路包括在BIFET的漏极和源极之间探测电压的第一电压探测电路,其特征在于所述的过电流保护电路还包括降低上述BIFET的栅极和源极之间电压和根据上述电压探测电路的输出来防止上述BIFET的事故或导通延迟的主开关装置。
公开号  86103419
公开日  1986-11-12
专利代理机构  上海专利事务所
代理人  杨国胜
颁证日  
优先权  1985.5.15 JP 103308/85;1985.5.15 JP 103311/85
国际申请  
国际公布  
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